Intel全球首发144层QLC NAND闪存 支持PCIe 4.0 最大30.72TB

【玩客记2020年12月23】在12月16日举办的2020内存存储日活动上,Intel一口气发布了六款全新的内存、存储新产品,首先来看面向数据中心市场的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316,同时全球首发144层堆叠的QLC NAND闪存,都支持PCIe 4.0。

2016年,Intel推出了第一代32层堆叠TLC闪存,次年翻番到64层并进化为TLC颗粒,存储密度提高了133%,2019年来到96层,存储密度提高约50%,而如今的144层再次将存储密度提高了约50%。仅仅5年的时间,Intel就将闪存存储密度增加了超过4倍,单位成本自然也是成倍降低。

虽然很多人对QLC不屑一顾(就像当初对TLC),不过Intel强调,如今的QLC闪存已经在平均故障间隔时间、平均温度、质保寿命、不可修复错误率(UBER)、数据持久性等质量与可靠性指标上看齐TLC,并且兼容同样的集成电路设计,大大简化升级换代。

而最新的144层堆叠对比两年前的64层堆叠,可靠性、最大写入量已经提升4倍,读取负载QoS提升最多50%,底层写入性能提升最多40%。

回到产品层面,SSD D7-P5510主要针对云存储应用,采用15m 2.5英寸U.2形态,容量3.84TB、7.68TB,持续读写性能最高7000MB/s、4194MB/s,比上代(D7-P4510)提升118%、35%,4K随机读写性能最高930K IOPS、190K IOPS,比上代提升45%、41%,混合随机读写性能400K IOPS,比上代提升50%,读写延迟86us、16us,比上代提升14%。

另外,它支持每天一次全盘写入(上代0.85次),而且特别值得一提的是,TRIM恢复时间从超过30秒缩短到不足0.1秒,也就是暂停读写的几乎一瞬间,就能恢复满血状态。

技术特性方面支持改进的健康监控与管理、动态多重命名空间、针对云负载优化的新算法、端到端数据保护、意外掉电保护、企业级安全等。SSD D5-P5316则有U.2 15mm、E1.L两种形态,后者最大容量可达惊人的30.72TB,主要面向热存储而优化。

它的持续读取性能最高为6.8GB/s,比上代(D5-P4326)提升2倍多,4K随机读取最高800K IOPS,比上代提升38%,但未公布写入性能。寿命方面,支持3000次编程/擦写循环,30.72TB型号的终身最大写入量为18940TB,是上代的4倍多。

利用该SSD,数据中心厂商可以在1U服务器内实现405TB(U.2)或者1PB(E1.L)的总存储容量,从而大大降低TCO成本。Intel SSD D7-P5510将在本季度出货,SSD D5-P5316明年上半年出货,价格均未公开。

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